电源vcc先通过正极向发射极(P)输送空穴，由于电源电场力过于强大(硅0.7v，锗0.3v)，电源电场力抵消了pn结之间的内建电场，耗尽层被突破了，原先电源输送的空穴越过耗尽层进入基极，由于基极(N)只参杂了少部分的五价元素，所以里面只能拥有少量的自由电子，电源负极接基极，电源向基极源源不断输送着电子，在基极内电源负极输送的全部电子与电源正极输送的小部分空穴复合消失形成Ib电流，之后由于基极太薄太小能承载的自由电子不足不能全部与电源输送的空穴复合，所以大部分空穴就被电源的电场力推动到集电极(P)边缘，因为集电极(P)另一端连接着电源的负极，电源负极向集电极输送着源源不断的电子，集电极靠近电源的那一端空穴最先和电源的电子复合，然后由于集电极空穴与电子复合消失之后空出来了一个位置，所以远离电源那一端的在集电极里面的空穴就被电场力推着移动填补空缺的位置与电源的电子复合，这样就产生了电流Ic，通过观察得知，电源负极需要和集电极和基极连接，产生足够的电场力使载流子越过耗尽层，因为高电位向低电位输送空穴，低电位向高电位输送电子，看向发射极和基极的电位关系，要使电源向基极发射空穴，就需要发射极的电位比基极高，只需要高于二极管压降(硅0.7v，锗0.3v)，再往下看，空穴接着从基极被发射到发射极，所以需要基极的电位高于发射极的电位，总结是Ve>Vb>Vc，那么由此又引出了另一个问题，为什么三极管可以小电流控制大电流，看在基极里面发生的事情，事实上在基极里并不是处处存在电子，还存在许多空隙，假设电子占三分之一，空隙占三分之二，那么我们加大Veb电压，使得空穴与电子在基区不断复合，由于复合之后缺少载流子就需要外部补充，我们规定电流方向是正电荷移动方向，所以Ib箭头向外，Ie箭头向内，因为一个空穴只能与一个电子复合，实际情况下在同一时刻到达基区的空穴远远大于电子，所以有三分之一的空穴就在基区与电子消耗，三分之二的空穴就越过基区到达集电区，到达集电区之后再与电源输送的电子复合，所以Ic箭头向外，同时在这个情况下电流放大系数是2，也就是Ic除以Ie等于2，这就是为什么Ib=Ie＋Ic，同时Ie的值也非常的小，这个放大系数是固定不变的，不因Veb和Vec的改变而改变